detail_top_tit">三安出席EDICON24展示新一代射频器件制造工艺

2024-04-11

EDICON CHINA 2024 (电子设计创新大会)于4月9日-10日在北京会议中心正式举行,暌违三年有余,作为无线通信行业工程师的专业交流平台,大会再次召集了射频、微波以及无线设计行业领域的精英企业,针对当下的通信、消费和航空航天等领域的应用展开讨论和技术分享。三安集成作为三安旗下专注于射频前端器件整合服务提供商,应邀参与大会,并在技术报告会中做出分享。

随着5G演进到Rel. 18及更高,推动着射频前端迭代到最新的Phase 8架构,集成度进一步提高。三安新一代的射频器件制造工艺正是针对市场的模组化趋势,能够为客户提供更高性能的解决方案。

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射频前端PA器件功放管主要采用HBT工艺,追求在高频工况下,具备高线性度、稳定性和放大效率。三安通过在外延材料及工艺端的改善,发展HP1/HP2工艺,对比起前代的HG6/HG7,在IMD3和PAE均有明显的改善,能够满足在复杂工况下的信号输出稳定需求。同时,配合新一代的铜柱工艺,实现晶圆的轻薄化和良好散热特性,可以减小模组尺寸,缩减客户端成本,并提升系统性能。

三安集成HBT工艺已经覆盖了2/3/4G,Sub-6GHz,以及Wi-Fi 7等无线通信应用,并向着更高频率的应用投入研发资源。PHEMT是三安集成的另一工艺体系,目前已进展到0.1um的工艺节点,可以满足客户在Ka至W波段的高频应用,实现良好的信号强度和低噪声系数。成熟的P25工艺型谱则广泛应用于接收模组和中高功率的手机和基站,新一代P25ED51工艺相比前代在OIP3系数有明显改善,显现出出色的产品竞争力。

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三安具备丰富的大规模制造经验,秉持“客户至上”的精神,为客户和市场提供更高质量的制造服务,帮助客户实现商业成功,共同促进无线通信行业的发展繁荣。

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